SiC BJT VBE(Sat)-Ic特性

昨日、本日でSiCのBJTの測定を行っている。

１つシリコンのBJTと大きく異なる点が解った。

VBE(Sat)-Icの測定結果において、VBE(Sat)の値が、Siデバイスと比較して、非常に大きい値である事が解った。

IC/IB=10の条件において、
2.8-3.2Vである。

悩ましい測定結果になってしまった。