SiCデバイスの記事掲載

SiCデバイスに関する記事を2011年5月号のトランジスタ技術に掲載致しました。
SiCデバイスが従来のシリコン半導体とどこが異なるのか？デバイスの評価実験
を行い解説しています。

今回の評価デバイスは、ショットキバリアダイオードとMOSFETです。比較のため、
それぞれ、シリコンのデバイスと比較しながら、各種電気的特性を評価しました。

SiCのデータシートの場合、特に日本製品は一部のスペックしかないので、電気的
特性図がありません。そこら辺にフォーカスしました。

SiC SBDは121ページから129ページ
SiC MOSFEは130ページから132ページ

です。

是非、ご参照下さい。

[お問い合わせ先]
株式会社ビー・テクノロジー
電話番号：03-5401-3851
メールアドレス：info@bee-tech.com

久しぶりのラボラトリー

日本に帰国し、先週の日曜日早朝にバンコクに到着しました。
昨日からバンコクのラボラトリーにて活動開始です。タイランド
は本日からほぼソンクラーンです。暦では、今週の水曜日から
ソンクラーンです。今日からのところが多いです。

仕事が集中していた3月の状態で日本に行き、帰国したため、非常に
煩雑で、研究所の机の周辺が凄い事になっています。

今週は特に、新製品のレビューを中心に活動し、たまりにたまった
執筆活動も社外、社内の分をこなしながら、来週の準備、私的プロジェクト
の進捗を進ませ、本読みもします。もり沢山です。

業務は片っ端から片付けるしかありません。

多忙が続くみたいです。