Device Modeling for OJT in JULY2011
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Siam Bee Technologiesにおけるデバイスモデリング技術者育成の為の
OJT教育です。
2011年7月中旬から3-4週間で完了させます。
技術は、
ダイオードのデバイスモデリング技術
パワーMOSFETのデバイスモデリング技術
の習得が目的です。
対象のデバイスは資料の通りです。
これが終了したら、
パワーMOSFETのP-Ch
トランジスタ(NPN及びPNP)
IGBT
と進みます。
