が多い。その為、自分が採用するスパイスモデルについても型名が同じ
でもクラス品が同じであるかどうかを確認しなければ、異なる増幅度の
シミュレーションになってしまい、解析が実機と異なる場合が多い。
Ic-hFE特性によって異なる点は、この特性に関与するモデルパラメータ
を変更すれば良い。
一般的な事例は下記のスライドの通りです。
Ic-hFE特性とモデルパラメータの関係について
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実際に最近、行った事例だとそれ以外にも影響するモデルパラメータがあった。
ここでのトランジスタのスパイスモデルの種類は、Gummel-Poonモデルである。
忘れないように記録(MEMO)に残す事にする。やはり、ある程度の体系化は出
来るが、ケース・バイ・ケースだと実感した。
Device Modeling Memo of hFE of BJT
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これからも気がついた点を「デバイスモデリング・メモ」に残していきたいと
思う。そうすれば、知識データベースにも自然となると思う。
