執筆活動再開

2010年10月11月は非常に忙しかった。Bee Style:の執筆活動が滞っていた
が、本日より、再開する。この活動は週末の時間を活用する事にします。

この執筆活動は、行動のまとめ、今後の展開を考える上で、自分の活動の中
では、思考時間に相当しています。よって、ある意味、必要な時間でもあり
ます。忙しさに飲まれていると、何時になっても進まないので、休息時間
をなくしてでも進めたい行動アイテムです。

とりあえず、マインドマップで素案を作成、これを元に、展開していきます。

電気二重層キャパシタの充電の回路実験

上記の動画の内容を補足します。

電気二重層キャパシタは、5.5V 0.47Fです。オシロスコープは、時間は
div:2sec、電圧はdiv:2Vです。

非常に早く充電される事がわかります。初期電圧は何回もしようしている
ので、完全に0Vにはなっておりません。

この特性から色々な用途に使えると連想出来ます。

トランジスタ技術2010年12月号記事掲載

トランジスタ技術2010年12月号に記事を掲載しております。

5-4 太陽光発電の天気による発電量を比べる-->128ページ
7-4 抵抗/コンデンサ/コイルのSPICEモデル-->152ページ
7-5 ダイオード/MOSFET/IGBTのSPICEモデル-->153-154ページ
Appendix 5 電子回路シミュレータの種類と特徴-->160ページ

です。

5-4は太陽光出力シミュレーションの事例と太陽電池の等価回路
モデルのご紹介及び日射量との連携の方法をご紹介しています。

7-4,7-5につきましては、パラメータモデルの弱点についてと
等価回路モデルの等価回路図を公開しています。

特に7-5につきましては、MOSFET,IGBTを対象にスパイスモデル
解説セミナーにて詳細を説明致します。

MOSFETは、こちらをご参照下さい。

IGBTは、こちらをご参照下さい。

MOSFETは満席となりました。IGBTも若干名です。お申し込みは
お早めにお願い致します。

Appendix 5は、当社の業務で良く使用する回路解析シミュレータ
にて、特徴を掲載しています。

今月号のトランジスタ技術は、創刊555号であり、読み応えのある
内容になっています。

懐かしい書類

実家に行った時に整理をしていたら、色々な書類が出てきました。
学生時代に使用したノート類、実験データが殆どですが、中には
英語学習のノートも発見しました。

中身をみると結構、役立つ事が記載されています。なにげない学習
が時を経て、役立っている。そして、何時、役立つかわからないが、
時間がある時に学習をしておいた方が良いと言う事です。

そんな事を感じました。

資料だけ下さいとは

技術講演をする機会が増え、1ヶ月に多い時で4-5回のペースになってきました。
技術講演ですので、参加者はエンジニアです。非常に多いのが、当日、用事が
あるので、資料だけ、後日、下さい。というもの。

私のプレゼン資料は、図、波形写真、回路図、数式で構成されているため、
その資料だけ参照しても絶対に解らないと思います。文章はトランジスタ技術の紙面をまねて、吹き出し程度。

それらの説明、ポイントを講演で話すわけです。

未だに理解できない資料だけ下さい人種。

世の中、なぞは多い。

以前、そういう人に聞いたことがあります。回答は、「資料があると安心出来ます」

ますます、解らない世の中です。

LTspiceでパラメトリック解析をする方法

上記の動画は、LTspiceでパラメトリック解析をする方法です。これだけだと
解りづらいので、パワーポイントで手順書を作成する。

日本インターのSiC SBD

日本インターは2010年10月14日現在3種類のSiC SBDを提供している。

600V,6A
FSC06A60
FSC06U60

600V,10A
FSC10A60
FSC10U60

1200V,10A
FSC10A120
FSC10U120

で、本日、日本インターに問い合わせてわかった事は、

600V,10A
FSC10A60
FSC10U60

容上記の2種類において、量産化されているのは、FSC10A60との事
です。

是非、入手したいデバイスの1つです。使用用途はPFC回路です。