BJT VBE-IB特性

BJT(Bipolar Junction Transistor)のVBE-IB特性において、VBEを0.6～0.7Vにしたとき、IBに電流が流れ出し、ONする。

VBE(SAT)はSi(シリコン)の場合、0.7Vくらいである。SPICEモデルでは、VBE-IB特性に関与するパラメータは、ISとRBである。これらを振っても、せいぜい、VBE(SAT)は、1.7Vが限界である。

Gummel-Poonモデルの場合、上記の事が言えます。少し、調査が必要です。