2013年2月26日火曜日
2011年6月16日木曜日
新連載開始
2011年7月号より連載の執筆が始まった。普段、業務として行っている事を。
記事にすれば良いのですが、小説とは異なり、回路実験、技術的な裏づけ、
執筆を毎月行うわけです。私はライターでは無いので、片手間です。休日
を活用する訳ですが、自分の技術をある程度、啓蒙活動できるので、よし
とします。
時間に追われますが、とりあえず、1年間は締め切りに追われる事になります。
2011年4月26日火曜日
トランジスタ技術2011年5月号正誤表
トランジスタ技術2011年5月号正誤表
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トランジスタ技術2011年5月号正誤表です。
132ページ 表1(a) SiC MOSFET SCU210AX(ローム)
上記のスライドが正しい表記になります。
ご訂正し、ご参照下さい。
2011年4月11日月曜日
SiCデバイスの記事掲載
SiCデバイスに関する記事を2011年5月号のトランジスタ技術に掲載致しました。
SiCデバイスが従来のシリコン半導体とどこが異なるのか？デバイスの評価実験
を行い解説しています。
今回の評価デバイスは、ショットキバリアダイオードとMOSFETです。比較のため、
それぞれ、シリコンのデバイスと比較しながら、各種電気的特性を評価しました。
SiCのデータシートの場合、特に日本製品は一部のスペックしかないので、電気的
特性図がありません。そこら辺にフォーカスしました。
SiC SBDは121ページから129ページ
SiC MOSFEは130ページから132ページ
です。
是非、ご参照下さい。
[お問い合わせ先]
株式会社ビー・テクノロジー
電話番号：03-5401-3851
メールアドレス：info@bee-tech.com
2010年11月11日木曜日
トランジスタ技術2010年12月号記事掲載
トランジスタ技術2010年12月号に記事を掲載しております。
5-4 太陽光発電の天気による発電量を比べる-->128ページ
7-4 抵抗/コンデンサ/コイルのSPICEモデル-->152ページ
7-5 ダイオード/MOSFET/IGBTのSPICEモデル-->153-154ページ
Appendix 5 電子回路シミュレータの種類と特徴-->160ページ
です。
5-4は太陽光出力シミュレーションの事例と太陽電池の等価回路
モデルのご紹介及び日射量との連携の方法をご紹介しています。
7-4,7-5につきましては、パラメータモデルの弱点についてと
等価回路モデルの等価回路図を公開しています。
特に7-5につきましては、MOSFET,IGBTを対象にスパイスモデル
解説セミナーにて詳細を説明致します。
MOSFETは、こちらをご参照下さい。
IGBTは、こちらをご参照下さい。
MOSFETは満席となりました。IGBTも若干名です。お申し込みは
お早めにお願い致します。
Appendix 5は、当社の業務で良く使用する回路解析シミュレータ
にて、特徴を掲載しています。
今月号のトランジスタ技術は、創刊555号であり、読み応えのある
内容になっています。
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