2012年12月度スパイス・パークのアップデート計画

2012年12月度スパイス・パークのアップデート計画 

東芝セミコンダクター＆ストレージ社のトランジスタのスパイスモデル
のライブラリーの提供予定です。モデルの種類は、Gummel-Poon
モデルです。順方向、逆方向に再現性を持たせるため、
データシートには記載がない逆特性を測定しなければデバイス
モデリングは出来ません（データ不足）。よって、時間がかかる
SPICEモデル作成になります。

トランジスタ Ic-hFE特性

Ic-hFE特性に大きく関与するモデルパラメータは5個あります。

ISE
NE
BF
IKF
NK

です。昨晩、自宅で、研究ノートを持参し、モデルパラメータの影響度合いを纏めました。これらのモデルパラメータは、SPICEのGunmmel-Poon モデルです。

BJTのデバイスモデリングに必要な測定項目

BJTのデバイスモデリングに必要な測定項目をマインドマップで纏めました。

BJT VBE-IB特性

BJT(Bipolar Junction Transistor)のVBE-IB特性において、VBEを0.6～0.7Vにしたとき、IBに電流が流れ出し、ONする。

VBE(SAT)はSi(シリコン)の場合、0.7Vくらいである。SPICEモデルでは、VBE-IB特性に関与するパラメータは、ISとRBである。これらを振っても、せいぜい、VBE(SAT)は、1.7Vが限界である。

Gummel-Poonモデルの場合、上記の事が言えます。少し、調査が必要です。