本日のご案内は、デバイスモデリングに必要なtrrの測定回路基板
のご提供開始のご案内です。マルツエレックからの販売になります。
部品の入手性の都合上、限定20台になります。
商品詳細ページは下記のURLになります。
ダイオード逆回復特性測定回路基板【MEB-SEMI-TRR】
https://www.marutsu.co.jp/pc/i/1634333/
また、法人様のご購入の場合、下記のメールアドレスまで、
ご連絡下さい。
ご請求書でのお支払いご希望の方は、ご連絡下さい。
IFIR法によるダイオードの逆回復特性(trr)測定用回路基板
●特長
高温時の逆回復特性値取得ができる
損失を考慮した回路設計ができる
●仕様
MEB-SEMI-TRRは、IFIR法によるダイオードの逆回復特性(trr)
を測定するための回路基板です。IF側及びIR側の電源と
オシロスコープを準備することで、trrの波形を取得することが
できます。
trrは、trj+trbの要素で構成されていますが、データシート
にはtrrの数値の記載しかなく、trj、trbの波形形状からの考察
ができません。trrの波形形状を把握することで、損失を考慮した
回路設計を設計をすることができます。
対象は、一般ダイオード、ショットバリアダイオード(SiCを含む)
で有効です。また、逆回復特性は、高温時では、スイッチング損失
において、大きく影響します。
高温時のtrrの値はデータシートには記載がなく、高温測定を
行い、把握する必要性もあります。そんな状況下でも有効な
回路基板になります。
近年は、SPICEの普及もあり、trrは、ダイオードの
デバイスモデリングに必須の抽出項目です。
trr値の取得の際にも役立ちます。ダイオードの要素があるLED、
フォトカプラの入力ダイオードなどにも応用可能です。
是非、この機会にご検討下さい。
ブログは、下記のページになります。
http://beetech-icyk.blogspot.com/
ダイオードのデバイスモデリングの参考情報は、こちらを
ご参照下さい。
