SiCデバイスに関する記事を2011年5月号のトランジスタ技術に掲載致しました。
SiCデバイスが従来のシリコン半導体とどこが異なるのか？デバイスの評価実験
を行い解説しています。
今回の評価デバイスは、ショットキバリアダイオードとMOSFETです。比較のため、
それぞれ、シリコンのデバイスと比較しながら、各種電気的特性を評価しました。
SiCのデータシートの場合、特に日本製品は一部のスペックしかないので、電気的
特性図がありません。そこら辺にフォーカスしました。
SiC SBDは121ページから129ページ
SiC MOSFEは130ページから132ページ
です。
是非、ご参照下さい。
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