電子回路技術研究会発表原稿

電子回路技術研究会資料(28SEP2011),PDF

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2011年9月28日に東京都内で開催される電子回路技術研究会の
発表原稿です。

当日はプレゼン資料を変更しました。ロームのプレストMOSFET
に関連する技術資料を添付しました。ロームのプレストMOSFET
の特徴は、ボディ・ダイオードの逆回復特性に大きな特徴がある
とのことです。

電流減少率モデルを後半に掲載致しました。