Active Gate Leakage

Junction FETのデバイスモデリング評価項目： Active Gate Leakage
も省略せずにモデリングする事をお勧め致します。この特性は、モデル・
パラメータ2つ関連があります。

ALPHA
VK

上記2つのモデルパラメータを反映させることで、モデルの解析精度は向上
します。

Passive Gate Leakage

Junction FETのPassive Gate Leakage特性に関与するモデルパラメータは、
IS,ISR,NRであります。これらのモデルパラメータの抽出を省略すると、正確な
モデリングが出来ない状況が過去にありました。データシートに記載していなく
ても、何らかの測定手段によって、モデリングに必要なデータを取得して、抽出
することをお勧めします。

上記は、PSpice Model Editorのスクリーンショットです。

Junction FETは意外と見逃しやすい抽出項目があります。これは別の機会に記載
致します。

2010年11月26日より英語版構築開始

英語版のWEBサイトの構築を2010年11月26日より開始しました。
サイトが完成するのには未だ多くの時間がかかります。よって、
完成したページからどんどん、公開するようにします。

課題は、どうやって、ビー・テクノロジーの存在を世界に向けて
PRしていくかです。

当面は試行錯誤で進めてみます。戦略は、下記の通りですが、
膨大な作業もあります。

Market strategy of Bee Technologies

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Bee Style:vol.020

Bee Style:vol.020

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デザイン

Design by Bee Technologies

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今日はお仕事で隙間時間に少しデザインをしました。後は、見せ方の問題
です。単純にしても興味をひかないので、何か工夫、仕組みが必要な気が
します。また、こういう事は、机上で考えても駄目なので、デザインにつ
いてはここまでとします。

中国の市場調査(半導体分野)

Electric Companyin in China

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ビー・テクノロジーのマーケティング部門に以前、調査してもらった調査結果
資料です。スパイス・パークにて世界展開を行う際、各市場地域でニーズが高
い電子部品のデバイスモデリングを行わなければならないからです。

中国向けには中国で調達しやすい電子部品のスパイスモデルの提供を行う必要
があります。上記の資料は、メイン企業の情報です。スパイス・パークはまず、
英語版からのスタートですが、新興国も見据えて、ロードマップに入れておき
ます。

Bee Style:vol.020 査読開始

Bee Style:vol.020の原稿執筆が終了しました。これから少し時間を
おいて、査読作業に入ります。最初に作成した構成案であるマインド
マップと、多少のずれが発生しました。来月号で掲載する事にします。